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河北Angew.Chem.Int.Ed.2017,56,3552–3556。【成果简介】近日，电力复旦大学武利民教授（通讯作者）课题组在ACSNano上发表了题为Large-AreaPreparationofRobustandTransparentSuperomniphobicPolymerFilms的研究论文。

图5在涂有聚合物薄膜的4英寸硅晶片上液滴的光学照片 图6所得聚合物薄膜的化学稳定性和机械强度试验 a-c）在室温下，计量聚合物薄膜分别浸泡在强酸，计量强碱和高浓度NaCl溶液中96小时。然而，箱数线制造这种具有特定表面形貌的超双疏材料相当耗时，通常涉及昂贵的光刻工具或复杂的化学过程。它们不仅具有优异的液体排斥性能和自清洁性能，字化而且具有高透明度和良好的耐物理磨损、抗强酸/强碱和浓盐溶液的特性。

g）水（蓝色），用上乙二醇（黄色），矿物油（红色）和橄榄油（绿色）液滴在聚合物薄膜表面上的形状照片。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，国网管理投稿邮箱[email protected]。

河北图7聚合物薄膜的柔韧性 a）反复循环弯曲和恢复的聚合物薄膜的水接触角的变化。

文献链接：电力Large-AreaPreparationofRobustandTransparentSuperomniphobicPolymerFilms（ACSNano，电力2018，DOI:10.1021/acsnano.8b05600）本文由材料人学术组键仔供稿，材料牛整理编辑。计量（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的顶视图。

箱数线本文由材料人编辑部张金洋编译整理。与g-C3N4、字化B掺杂g-C3N4和SnS2相比，g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的带隙较小。

Z-schemeB掺杂g-C3N4/SnS2的速率步骤的ΔG远低于g-C3N4/SnS2的ΔG，用上表明Z-schemeB-掺杂g-C3N4/SnS2异质结构是更高效的光催化剂。g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的功函数和电荷密度差异，国网管理表明其电荷转移机制是Z-scheme电荷转移机制。